[发明专利]一种光电探测器及其制造方法

摘要

本发明提供一种光电探测器及其制造方法，光电探测器包括薄膜晶体管、光电转换器、透明电极层、第一触控金属层、有机绝缘层以及绝缘层；所述光电转换器包括均与源极和漏极接触的N型半导体材料层、位于N型半导体材料层上的I型半导体材料层以及位于I型半导体材料层上的P型半导体材料层。本发明光电探测器的光电转换器兼顾半导体层的功能，使得薄膜晶体管为耗尽型的薄膜晶体管；沟道区被光电转换层的N型半导体材料层覆盖，减少工艺步骤，减少掩膜版，实现半导体层的最大利用，实现光电转换器和薄膜晶体管功能的合并，实现像素信号放大效果的同时增大了开口；减少X射线光源闪烁提高了刷新效率。