[发明专利]高密度引线框架蚀刻方法

摘要

高密度引线框架蚀刻方法，涉及半导体集成电路技术领域。包括如下步骤：S1：对铜带进行清洗；S2：将干膜挤压在铜带上，铜带分为成品区和非成品区，非成品区的铜带与干膜之间通过胶粘接，再通过紫外光照射形成耐腐蚀的保护层；S3：将绘制的产品图形覆盖在成品区的保护层上，再经过曝光、显影得到抗腐蚀掩膜；S4：将蚀刻液喷淋到铜带表面进行腐蚀，去除未形成抗腐蚀掩膜部位的金属，再剥离抗腐蚀掩膜得到引线框架；S5、将引线框架周向的非成品区裁剪去除。本发明将铜带分为成品区和非成品区，非成品区通过胶与干膜粘粘结，并在产品成型后去除非产品区，使铜面和干膜更好的贴合，实现了高精密、低线距产品的正常生产，保证产品质量。