[发明专利]原位生成氧化铝绝缘层的Ni基厚膜发热元件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011134832.4 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112261743B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李志强;尚善斋;汤建国;廖晓祥;袁大林;韩敬美;雷萍;吴俊;尤俊衡;吕茜;廖思尧;王程娅;陈永宽 | 申请（专利权）人： | 云南中烟工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H05B3/20;H05B3/10;C22C19/05 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人： | 任永利;李静 |
| 地址： | 650231 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明属于厚膜发热技术领域，特别涉及一种原位生成氧化铝绝缘层的Ni基厚膜发热元件及其制备方法。所述发热元件包括：基底、绝缘层、电阻层、包封玻璃保护层；其中，所述基底为NiCrAl三元合金层；所述绝缘层为所述基底的表面经过原位氧化得到的Al |
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| 搜索关键词： | 原位 生成 氧化铝 绝缘 ni 基厚膜 发热 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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