[发明专利]Nor闪存结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种Nor闪存结构及其制作方法。所述Nor闪存结构中，在半导体基底中形成有有源区和沿第一方向和第二方向呈行列排布的隔离区，第一方向上相邻的两个隔离区之间并列设置有两个浮栅，极间介质层覆盖在浮栅的上表面和侧表面以及沿第一方向排列的浮栅之间的半导体基底表面，第一间隔层位于极间介质层上且具有沿厚度方向开设的第一贯通孔，第一贯通孔露出覆盖于半导体基底表面和浮栅侧表面的极间介质层，控制栅设置于第一贯通孔内。由于控制栅设置在第一贯通孔内，从而制作控制栅不需要专门的光刻工序，简化了工艺流程，有助于节约生产成本，且所述Nor闪存结构仍然可以实现较好的性能。利用所述制作方法可以获得上述闪存结构。