[发明专利]一种三维相变存储器及其制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种三维相变存储器及其制备方法。其中，所述三维相变存储器包括：沿第一方向延伸的第一导电线、沿第二方向延伸的第二导电线以及位于所述第一导电线和所述第二导电线相交处的相变存储单元；其中，所述第一方向与所述第二方向平行于同一平面且彼此垂直；所述相变存储单元包括沿第三方向分布的选通层、相变存储层和第一材料电极层，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向；所述第一材料电极层包括由多根碳纳米管沿所述第一方向及所述第二方向排列组成的碳纳米管层，每一所述碳纳米管沿所述第三方向延伸。