[发明专利]一种基于场发射电子的太赫兹激光二极管有效
| 申请号： | 202011096363.1 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112233953B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘维浩 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01J19/24 | 分类号： | H01J19/24 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 姜慧勤 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于场发射电子的太赫兹激光二极管，包括彼此平行面对的阳极板和阴极板，设置于阳极板和阴极板之间的介质层环；介质层环的外侧面与阳极板的侧面对齐，介质层环的外侧面与阴极板的侧面对齐，介质层环的其中一个表面与阳极板上与阴极板相对的那一面接触，介质层环的另一个表面与阴极板上与阳极板相对的那一面接触，阳极板、阴极板和介质层环共同形成一个密封腔，阴极板为场发射阵列或者阴极板为平板且平板上与阳极板相对的那一面涂覆有场发射材料，阴极板的宽度大于阳极板与阴极板之间间距的20倍以上。通过调节二极管的偏置电压，即可改变高频场的工作频率，从而得到频率的可调的太赫兹电磁波输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 发射 电子 赫兹 激光二极管 | ||
【主权项】：
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