[发明专利]验证光学邻近效应校正的方法在审
申请号: | 202011096140.5 | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN113219785A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 金基盛 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F1/84;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种验证光学邻近效应校正的方法,包括:生成包括目标图案的设计图案布局、通过执行光学邻近效应校正从设计图案布局生成校正图案布局、使用校正图案布局生成包括图像图案的轮廓图像、从轮廓图像的图像图案中检测缺陷图案、以及使用缺陷图案的数据校正来校正图案布局。检测缺陷图案包括获取目标图案的重心的位置数据、获取图像图案的重心的位置数据、以及通过将缺陷图案检测基准与目标图案的重心和图像图案的重心之间的距离进行比较来确定图像图案是否为缺陷图案。 | ||
搜索关键词: | 验证 光学 邻近 效应 校正 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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