[发明专利]一种提取超大规模集成电路芯片电源模型参数的方法有效
| 申请号： | 202011090721.8 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112214955B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 邹京;周曦;李晶;卢旭东;黄辰骏;李俊峰;韦金秀;覃心盈;唐涛;王翠娜;邹和风;陈占之 | 申请（专利权）人： | 飞腾信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 谭武艺 |
| 地址： | 300452 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提取超大规模集成电路芯片电源模型参数的方法，包括获得芯片设计中所有模块的VCD文件，抽取满足设计需求的RLC电源模型；将每个模块的RLC电源模型合并成全芯片的Spice网表；基于静态分析所有模块的插入时钟延时，将每个模块的插入时钟延时添加到全芯片的spice网表中得到芯片级的电源模型；利用芯片级的电源模型搭建系统级的PDN网络。本发明采用自底向上的方法，先抽取底层模块的电源模型参数，然后在模块电源模型的合并时加入时钟延时信息，最后得到全芯片的电源模型。该方法可以快速、准确地提取全芯片的电源模型参数，解决了传统方法抽取全芯片电源模型参数慢，无法迭代导致的模型不准确问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提取 超大规模集成电路 芯片 电源 模型 参数 方法 | ||
【主权项】：
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