[发明专利]一种高电源抑制比带隙基准电路在审
| 申请号： | 202011076204.5 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112130610A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李得全;夏群兵;胡海军 | 申请（专利权）人： | 深圳市爱协生科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/46 | 分类号： | G05F1/46;G05F1/575 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 宫建华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市新安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电源抑制比带隙基准电路，包括参考电压产生电路、偏置电压产生电路和粗校准电路，参考电压产生电路由4个三极管：Q0、Q1、Q2、Q3，电流镜负载：P1、P2、P3、P9、P10、P11、N1、N2、N3，电阻：R0、R1，补偿电容C0组成；偏置电压产生电路由P0、P8、N0组成；粗校准电路由4个控制管：P4、P6、P12、P13，2个电流复制管：P5、P7组成；本发明可实现在相同功耗下，电阻面积节约1/3；在相同频率下，将电源抑制比提高10dB，且采用电流校准结构和传统电阻校准结构结合进行温度系数调整，进一步减小电阻面积，具有较低工艺成本，结构简单，温度系数较低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电源 抑制 基准 电路 | ||
【主权项】：
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