[发明专利]基于激光诱导的HJT电池的制备方法及HJT电池

摘要

本发明公开了一种基于激光诱导的HJT电池的制备方法，采用激光对N型a‑Si:H层及P型a‑Si:H层进行诱导晶化处理形成N型nc‑Si:H层、P型nc‑Si:H层，本发明还公开了一种基于激光诱导的HJT电池，包括硅片衬底、所述硅片衬底正面依次设有正面SiO2层、N型nc‑Si:H层、正面TCO层和正面电极；所述硅片衬底的背面依次设有背面SiO2层、P型nc‑Si:H层、背面TCO层和背面电极。采用本发明，所述nc‑Si:H层具有比a‑Si:H层更宽的光学带隙和更高的电导率，对光的寄生吸收少，与TCO层的接触电阻小，且电导率更高；本发明的HJT电池引入了nc‑Si:H层，具有高电池效率、高载流子传输及收集能力及高光转化效率的优点。