[发明专利]高产率CuInP2 有效
| 申请号： | 202011071766.0 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112195024B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 于鹏;张健添;杨国伟 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;B82Y20/00;B82Y40/00;C01G15/00 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 李思坪 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及高产率CuInP |
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| 搜索关键词： | 高产 cuinp base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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