[发明专利]一种垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED及其制备方法在审
| 申请号： | 202011058528.6 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN111987194A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋科;黎大兵;孙晓娟;张山丽;陈洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种垂直量子阱结构AlGaN深紫外LED的制备方法，属于半导体技术领域，包括在衬底上依次生长AlN模板、生长n‑Al |
||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 量子 结构 algan 深紫 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011058528.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
