[发明专利]改善屏蔽栅表面粗糙的方法在审
| 申请号： | 202011056946.1 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112133628A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李秀然;邬镝;薛华瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/321;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善屏蔽栅表面粗糙的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成图形化的硬掩膜；以图形化的硬掩膜为掩模，刻蚀所述衬底形成第一沟槽；在所述第一沟槽内形成栅介质层，并得到第二沟槽；向所述第二沟槽内填充多晶硅，并覆盖所述栅介质层和剩余的所述硬掩膜；执行研磨工艺，并研磨停止在所述硬掩膜的表面，以平整化所述多晶硅的表面；第一次干法刻蚀所述多晶硅，并去除所述第二沟槽上方的多晶硅；第二次干法刻蚀第一次干法刻蚀后的多晶硅形成屏蔽栅，所述屏蔽栅表面平整。可以改善形成的屏蔽栅的表面粗糙的问题，从而增加屏蔽栅和控制栅之间形成的介质层的工艺窗口，改善控制栅和屏蔽栅之间的漏电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 屏蔽 表面 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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