[发明专利]双极性阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011053896.1 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112164749B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 黄鹏;丁向向;田明;刘力锋;刘晓彦;康晋锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双极性阻变存储器及其制备方法，其中，该制备方法包括：在衬底上形成底电极；采用等离子增强的化学气相沉积法，通过调节射频功率和/或腔室压强，在底电极上形成阻变介质层；在阻变介质层上形成活性电极，以构成双极性阻变存储器。本发明的双极性阻变存储器的制备方法通过调节射频功率和/或腔室压强可以实现阻变介质层致密度的控制，进一步借助于薄膜沉积时间的变化实现阻变介质层厚度的调节以及活性电极的厚度调节，使得本发明的双极性存储器可以将较低操作电压、较快编程速度和较高的稳定性集成于一体，极大促进了该器件在物联网、嵌入式等领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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