[发明专利]热电堆红外探测器制作过程释放薄膜的工艺在审
| 申请号： | 202011052512.4 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112250034A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 汪民;许玉方;李朗;汪洋 | 申请（专利权）人： | 广州德芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;G01J5/12 |
| 代理公司： | 北京中普鸿儒知识产权代理有限公司 11822 | 代理人： | 林桐苒 |
| 地址： | 510000 广东省广州市番禺区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热电堆红外探测器制备过程释放薄膜的工艺，在需要释放的区域预先制作一层容易腐蚀的金属层，依次生成氮化硅层、多晶硅层、电极及二氧化硅层，然后把易腐蚀的金属层快速腐蚀掉，再用气体腐蚀方法把下面Si层腐蚀一定深度形成悬浮窗空腔，如此可使热电堆所在的薄膜层完全干净释放出来，做成一致性非常好热电堆单元，成品率极大提高，而且工艺简单、工作效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 红外探测器 制作 过程 释放 薄膜 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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