[发明专利]一种阻变式存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202011046368.3 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111933796B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 肖韩;黄如 | 申请（专利权）人： | 杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变式存储器及其制造方法，所述存储器包括：衬底（1）、离子注入区（2）、栅极氧化物层（3）、栅极（4）、硅化物块（5）、金属引线（6）、阻变单元（7）、硅化阻止层（8）；其中，硅化阻止层（8）位于硅化物块（5）及栅极氧化物层（3）之间，并覆盖离子注入区（2）的至少一部分及栅极（4）。本发明通过在晶体管的S/D区域引入硅化阻止层,能重构高压电场在晶体管的分布，降低了场效应管的有效源漏电压，从而在保证栅长的前提下，提高了MOSFET的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻变式 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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