[发明专利]一种大尺寸二维材料异质结构的制备方法有效
| 申请号： | 202011041650.2 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112320788B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 高学栋;冯志红;蔚翠;何泽召;刘庆彬;郭建超;周闯杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184;C01B32/194;C01G39/06;C01G41/00;C01B21/064;C01B19/04 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝晓红 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开一种大尺寸二维材料异质结构的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：在第一金属衬底上的第一二维材料表面生长氧化铝薄膜并旋涂光刻胶；采用电化学鼓泡法剥离第一二维材料；用生长有第二二维材料的第二金属衬底捞起第一二维材料；旋涂光刻胶并采用电化学鼓泡法剥离异质结构；使用目标衬底将剥离所得异质结构捞起，或重复多次捞起和剥离后，再用目标衬底将剥离所得的异质结构捞起，去除表面光刻胶及氧化铝。本发明提供的制备方法，可以有效的解决二维材料异质结构组装过程中材料界面间的污染，能够制备得到具有连续完整结构的大尺寸清洁界面二维材料异质结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 二维 材料 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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