[发明专利]栅极驱动电路在审
| 申请号： | 202011024964.1 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112583394A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 小川纮生 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;姜冰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及栅极驱动电路。本发明提供一种更简易的电路结构且使用了N沟道MOSFET的栅极驱动电路的高边驱动器。一种对功率半导体开关进行驱动的高边驱动器电路，其具备：主开关N沟道MOSFET，漏极端子连接于电源的正侧Vdc，源极端子连接于对功率半导体开关进行驱动的信号的OUT端子；电荷蓄积电路，从Vdc蓄积电荷；带电压检测功能的开关，检测电荷蓄积电路的输出端子与Vdc的电压差，在检测到电荷蓄积电路的输出端子电压比电源的正侧Vcc的电压高一定电压以上的情况下，向所述主开关N沟道MOSFET的栅极端子施加所述电荷蓄积电路的输出电压的一部分或全部。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 驱动 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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