[发明专利]薄膜的制备方法和发光二极管在审

专利信息
申请号: 202010977460.5 申请日: 2020-09-17
公开(公告)号: CN114203940A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 敖资通;严怡然;杨帆;赖学森;洪佳婷;张建新 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 张杨梅
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请涉及显示技术领域,提供了一种薄膜的制备方法和发光二极管。本申请提供的薄膜的制备方法包括:提供干膜和惰性气氛,惰性气氛掺杂有芳香族化合物,且芳香族化合物能溶解干膜;将干膜在惰性气氛下进行静置处理、加热处理或紫外光辐照处理。通过上述方法,使得芳香族化合物在浸润过程中能进一步溶解分散干膜表面的大颗粒物质,从而提高薄膜表面颗粒的均匀度,降低薄膜表面的粗糙度,进而获得表面平整的薄膜。当应用于发光二极管的空穴功能层时,有利于改善空穴功能层的薄膜形貌,降低空穴功能层与发光层的界面电阻,提高器件的空穴传输效率,有效平衡器件的空穴传输效率和电子传输效率,从而提高器件的光电性能和工作寿命。
搜索关键词: 薄膜 制备 方法 发光二极管
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司,未经TCL科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010977460.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top