[发明专利]一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法有效
申请号: | 202010966037.5 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN111987173B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 刘富才;曹桂铭;刘海石;陈建钢;卞仁吉;蒙鹏 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/113;H01L31/18;G06N3/067 |
代理公司: | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人: | 李林合 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法,突触器件阵列,包括若干突触器件单元,突触器件单元包括衬底,衬底上设置有背栅电极,背栅电极上设置有绝缘介质层,绝缘介质层上中部设置有二维材料导电沟道,二维材料导电沟道两侧分别设置有源漏电极一和源漏电极二,二维材料导电沟道与源漏电极一和源漏电极二之间形成欧姆接触,二维材料导电沟道、源漏电极一和源漏电极二上部设置有透明封装层。本发明还提供了突触阵列的制备方法。本发明的器件阵列包含多个基于H钝化的含Si绝缘介质衬底的突触器件单元,其制备工艺简单易操作,有效解决了现有技术中制备工艺复杂、不利于大规模生产和应用等问题,便于推广使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 二维 光电 突触 器件 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的