[发明专利]一种基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010915472.5 申请日: 2020-09-03
公开(公告)号: CN111883663A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 赵丽;刘洲;吴淑珍;王世敏 申请(专利权)人: 湖北大学
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 陈秋梦
地址: 430062 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明实施例提供了一种基于石墨相氮化碳片层材料双界面修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,涉及钙钛矿太阳能电池领域,具体地,该钙钛矿太阳能电池包括钙钛矿吸光层,所述钙钛矿吸光层的两侧分别设置有第一界面修饰层和第二界面修饰层,所述第一界面修饰层和所述第二界面修饰层均为g‑C3N4片层材料。该钙钛矿太阳能电池首次将g‑C3N4片层材料同时修饰于钙钛矿活性层的两个界面,有利于增加钙钛矿的晶粒尺寸,同时钝化钙钛矿吸光层表面的固有缺陷,从而提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 基于 石墨 氮化 碳片层 材料 界面 修饰 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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