[发明专利]减小不同产品在炉管中的负载效应的方法有效
| 申请号： | 202010878027.6 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112038233B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 康俊龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小不同产品在炉管中的负载效应的方法，包括：步骤1，新产品完成光刻后采用公式P＝(C×X×Y+frame)/S计算负载效应数值，P为表征单个shot中单位面积的图形周长，C为单个芯片的的图形周长，X为shot中芯片的行数；Y为shot中芯片的列数，S为Field shot size；步骤2，将单个shot中单位面积的图形周长定义为负载效应数值，并根据所述负载效应数值进行归类；步骤3，根据新产品的负载效应数值的归类选择相对应的片数效应值，调节炉管的五端温度，采用光片进行成膜离线测试运行直至炉管中的光片膜厚达到测试目标膜厚；步骤4，按照新产品的所属类别直接进行作业。本发明能快速准确估算出不同产品的负载效应，可以减少新产品试运行的硅片数量，节省试运行时间。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 不同 产品 炉管 中的 负载 效应 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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