[发明专利]无外磁场定向自旋翻转的SOT-MRAM及阵列在审
| 申请号： | 202010846250.2 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111986717A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 邢国忠;林淮;刘宇;张培文;谢常青;李泠;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种无外磁场定向自旋翻转的SOT‑MRAM及阵列。SOT‑MRAM自上往下依次包括：选通器(1)，在外加电压的作用下接通或断开SOT‑MRAM；磁隧道结(2)，自上往下依次包括铁磁参考层(201)、隧穿层(202)和铁磁自由层(203)；自旋轨道耦合层(3)，由重金属、掺杂重金属、重金属合金、双重金属层、半导体材料、二维半金属材料、反铁磁材料中的一种及以上组成，利用层间交换耦合效应在铁磁自由层(203)中产生平面内有效场，并利用自旋霍尔效应产生自旋轨道矩，以在磁隧道结(2)中进行数据确定性存储。本公开利用铁磁层的垂直各向异性，在无外加磁场辅助下，通过层间交换耦合和自旋转移矩联合效应，实现SOT驱动磁隧道结铁磁自由层定向自旋翻转，并实现三维阵列结构。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 定向 自旋 翻转 sot mram 阵列 | ||
【主权项】：
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