[发明专利]同时扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法有效
申请号: | 202010719506.3 | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN111850682B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 于盛旺;郑可;高洁;王永胜;吴艳霞;申艳艳;邢学刚 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | C30B25/00 | 分类号: | C30B25/00;C30B29/04 |
代理公司: | 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 | 代理人: | 张宏 |
地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: |
本发明为一种同时扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法,首先采用化学气相沉积(CVD)法将尺寸为a×a×b的单晶金刚石沿b方向生长到高度h,再沿a×h面对角线将单晶金刚石切割形成两个三角形柱体单晶金刚石,最后将三角形柱体单晶金刚石的切割面作为生长面进行金刚石的同质外延生长,待生长高度达到h |
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搜索关键词: | 同时 扩大 金刚石 籽晶 尺寸 数量 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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