[发明专利]同时扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法有效

专利信息
申请号: 202010719506.3 申请日: 2020-07-23
公开(公告)号: CN111850682B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 于盛旺;郑可;高洁;王永胜;吴艳霞;申艳艳;邢学刚 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C30B25/00 分类号: C30B25/00;C30B29/04
代理公司: 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) 14111 代理人: 张宏
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明为一种同时扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法,首先采用化学气相沉积(CVD)法将尺寸为a×a×b的单晶金刚石沿b方向生长到高度h,再沿a×h面对角线将单晶金刚石切割形成两个三角形柱体单晶金刚石,最后将三角形柱体单晶金刚石的切割面作为生长面进行金刚石的同质外延生长,待生长高度达到h1,再沿底部顶点与顶部左、右两点连线以及过底部顶点平行生长方向将单晶金刚石切割成四瓣,得到两个钝角三角形柱体单晶金刚石籽晶和两个直角三角形柱体单晶金刚石籽晶。本发明操作简单,能够快速的将小尺寸的单晶金刚石籽晶变成大尺寸的单晶金刚石籽晶,同时增大单晶金刚石的尺寸及数量,还可以有效避免拼接法引入的界面缺陷和多晶。
搜索关键词: 同时 扩大 金刚石 籽晶 尺寸 数量 方法
【主权项】:
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