[发明专利]利用选择性区域生长来制造基准点的方法和系统在审
| 申请号： | 202010694725.0 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112242354A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 克里夫·德劳利;雷·米拉诺;罗伯特·劳斯;苏巴什·皮达帕蒂;安德鲁·P·爱德华兹 | 申请（专利权）人： | 新时代电力系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L23/544;H01L27/088 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 易皎鹤 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成对准标记的方法，包括：提供具有器件区和对准标记区的III‑V族化合物衬底；形成硬掩模层，所述硬掩模层具有在所述对准标记区上的暴露所述III‑V族化合物衬底的第一表面部分的第一组开口以及具有在所述器件区上的暴露所述III‑V族化合物衬底的第二表面部分的第二组开口；利用作为掩模的所述硬掩模层，蚀刻暴露的III‑V族化合物衬底的表面，以形成多个沟槽；以及在沟槽中外延再生长半导体层，以在所述III‑V族化合物衬底的处理表面的上方形成延伸至预定高度的对准标记。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 选择性 区域 生长 制造 基准点 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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