[发明专利]一种掺B的PG制备方法

摘要

本发明涉及一种掺B的PG制备方法，该方法包括以下步骤：1)用化学气相沉积法生产出PBN基体2)将步骤1)修磨后的PBN基体放入CVD反应炉内，向炉内通入含硼化合物、甲烷或丙烷以及惰性气体，在PBN基体的表面形成一种B掺杂的PG涂层3)对步骤2)中的PG涂层通过机械加工或激光加工方式加工成特定花纹4)将步骤3)加工完花纹后的PBN基体再次放入CVD反应炉内，通入含有氮源和硼源的气体，在高温低压的环境下沉积一层PBN保护层。本发明创造性的将B掺入到PG层内，可以实现随着温度的升高，加热器电阻值升高，抵消一部分高温下散失的更多热量，这样电源的功率调节幅度很小，同时在高温下的加热速率会更快。