[发明专利]量子点材料及制备方法、量子点发光二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202010589721.6 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113831907A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张旋宇;刘文勇 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/06;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种量子点材料，包括量子点颗粒以及结合在所述量子点颗粒表面的第一配体，所述第一配体为MOF单体，且所述MOF单体中至少含有三个能与所述量子点颗粒结合的第一活性基团。本发明提供的量子点材料，可以减少量子点发光层与电子传输层界面的电荷积累，解决空穴迁移率远低于电子迁移率引发的器件电荷不平衡问题，最终提高量子点发光器件使用寿命和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 材料 制备 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
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