[发明专利]电子器件的制造方法在审
申请号: | 202010572429.3 | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN112123913A | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 山田和夫;照井弘敏 | 申请(专利权)人: | AGC株式会社 |
主分类号: | B32B37/12 | 分类号: | B32B37/12;B32B38/16;B32B38/00;B32B43/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李书慧;赵青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供节能性优异的电子器件的制造方法。一种电子器件的制造方法,准备带电子器件用部件的层叠体,该层叠体依次具备玻璃制的支承基材、作为有机硅树脂层或硅烷偶联剂层的粘合层、聚酰亚胺树脂基板和电子器件用部件,对上述带电子器件用部件的层叠体从上述支承基材侧照射激光,从而由上述带电子器件用部件的层叠体得到具有上述聚酰亚胺树脂基板和上述电子器件用部件的电子器件,上述激光的照射能量密度小于80mJ/cm |
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搜索关键词: | 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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