[发明专利]成像装置在审
| 申请号： | 202010529066.5 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111799285A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 町田贵志;山下和芳 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/522;H01L27/14;H04N5/232;H04N5/355;H04N5/369;H04N5/374;H04N5/378;G01S7/4863;G01S17/89;G01S17/931 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术涉及成像装置，包括：光电转换区域；传输晶体管，其连接至所述光电转换区域；浮动扩散区域，其连接至所述传输晶体管；开关晶体管，其连接至所述浮动扩散区域；电容，其被构造成经由所述开关晶体管连接至所述浮动扩散区域；复位晶体管，其连接至所述浮动扩散区域；放大晶体管，其连接至所述浮动扩散区域；和配线层，其包括：第一层，其包括连接至所述开关晶体管的第一配线；第二层，其包括第二配线；和第三层，其包括连接至所述传输晶体管的第三配线。这里，所述电容包括所述第一配线和所述第二配线，所述第一层不同于所述第三层，并且所述浮动扩散区域的触头区域设置于所述开关晶体管与所述复位晶体管之间。本技术适用于CMOS图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010529066.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
