[发明专利]一种低漏电的用于低压ESD防护的可控硅整流器有效
申请号: | 202010522705.5 | 申请日: | 2020-06-10 |
公开(公告)号: | CN111668209B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 刘志伟;邹柯鹏;杜飞波;刘继芝 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于电子技术领域,涉及静电放电(ESD)保护电路的设计,具体提供一种低漏电的用于低压ESD防护的可控硅整流器,用以克服传统DCSCR在基于局部IO端口的ESD防护架构下会产生较大的漏电和静态功耗的问题。本发明通过在器件内部嵌入一个PMOS开关,能够在非常紧凑的版图面积下,实现动态的触发电压;具体来说,当ESD脉冲来临时,PMOS开关导通,此时器件能够在很低的电压下及时触发开启;而在芯片正常工作时,PMOS开关断开,此时触发路径中反偏PN结的存在使得器件的触发电压大幅度提高,因而能够在电源电压下实现很低的直流漏电流。综上,本发明所提出的器件结构能够在满足先进的低压ESD防护需求的基础上大幅减小静态功耗,同时维持非常紧凑的版图布局。 | ||
搜索关键词: | 一种 漏电 用于 低压 esd 防护 可控 硅整流器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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