[发明专利]一种低漏电的用于低压ESD防护的可控硅整流器有效

专利信息
申请号: 202010522705.5 申请日: 2020-06-10
公开(公告)号: CN111668209B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 刘志伟;邹柯鹏;杜飞波;刘继芝 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/06
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电子技术领域,涉及静电放电(ESD)保护电路的设计,具体提供一种低漏电的用于低压ESD防护的可控硅整流器,用以克服传统DCSCR在基于局部IO端口的ESD防护架构下会产生较大的漏电和静态功耗的问题。本发明通过在器件内部嵌入一个PMOS开关,能够在非常紧凑的版图面积下,实现动态的触发电压;具体来说,当ESD脉冲来临时,PMOS开关导通,此时器件能够在很低的电压下及时触发开启;而在芯片正常工作时,PMOS开关断开,此时触发路径中反偏PN结的存在使得器件的触发电压大幅度提高,因而能够在电源电压下实现很低的直流漏电流。综上,本发明所提出的器件结构能够在满足先进的低压ESD防护需求的基础上大幅减小静态功耗,同时维持非常紧凑的版图布局。
搜索关键词: 一种 漏电 用于 低压 esd 防护 可控 硅整流器
【主权项】:
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