[发明专利]一种基于磁性隧道结的位元结构在审
申请号: | 202010521122.0 | 申请日: | 2020-06-10 |
公开(公告)号: | CN111696601A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 毛欣;张源梁 | 申请(专利权)人: | 苏州思立特尔半导体科技有限公司 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16;H01L27/22 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李素兰 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明公开了一种基于磁性隧道结的位元结构,该位元结构包括两个MOS管、两个磁性隧道结、一条字线、两条源线以及两条位线;进行数据写入时,字线有效,位元结构中的两个MOS管共享源线与位线,两个磁性隧道结MTJ上经过稳定的电流并持续一段时间;选取某一个MTJ作为存储单元(另外一个作为参考单元),将数据写入;进行数据读出时,源线接地,两个位线偏置电压将两端位线分别上拉,产生作为存储单元的MTJ上电压V |
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搜索关键词: | 一种 基于 磁性 隧道 位元 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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