[发明专利]一种基于TMDCs横向PIN同质结的光电二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于过渡金属硫族化合物(TMDCs)横向PIN同质结的光电二极管及制备方法。通过局域化表面掺杂技术，在本征或轻掺杂的TMDCs薄膜中引入P型重掺杂区与N型重掺杂区，上述两种重掺杂区与未经过局域化表面掺杂处理的本征或轻掺杂I区横向排布，构成横向PIN三明治结构，其中P型重掺杂区与N型重掺杂区各自被金属电极覆盖。P型重掺杂区、本征或轻掺杂I区与N型重掺杂区之间载流子浓度梯度引发载流子扩散，最终热平衡状态下本征或轻掺杂I区完全耗尽，内建电场基本落在I区。入射光照射下，I区TMDCs吸收入射光子产生电子‑空穴对，并在I区内建电场左右下分离、漂移，产生电压或电流在电路中输出，实现光电探测。