[发明专利]一种引线框架的蚀刻方法在审
| 申请号： | 202010426998.7 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111415871A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 马文龙;康小明;康亮 | 申请（专利权）人： | 天水华洋电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 谢建 |
| 地址： | 741020 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种引线框架的蚀刻方法，属于半导体集成电路领域。包括如下步骤:选取铜带基板；通过压膜机将干膜粘附在铜带表面，在干膜的外面放上需要制作的产品图形，盖上盖板后真空固定图形在干膜上；使干膜发生光聚合反应，将要制作的引线框架图形转移到干膜上；将没有发生光聚合反应的干膜去掉；将蚀刻液喷淋到铜带表面进行腐蚀，有干膜的地方受到干膜保护不被腐蚀使引线框架成型。本发明可以保证引线框架高精度的要求，可实现蚀刻液再生，有效解决环保问题，便于推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引线 框架 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天水华洋电子科技股份有限公司，未经天水华洋电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010426998.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
