[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202010414503.9 | 申请日: | 2020-05-15 |
公开(公告)号: | CN111554720B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 罗程远 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 陈蕾 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述制备方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成第一电极层及辅助电极;在所述第一电极层上形成像素限定层,所述像素限定层具有像素开口及通孔,所述通孔暴露至少部分所述辅助电极;在所述通孔中形成辅助材料;形成覆盖所述像素限定层与所述辅助材料的有机功能层;将加热后的压印部压入所述通孔中,使所述有机功能层与所述通孔对应的部分随所述压印部进入所述通孔,且使所述辅助材料熔融,从而所述通孔中的有机功能层随所述辅助材料流出所述通孔,至少部分所述辅助电极暴露;在所述有机功能层上形成第二电极层,所述第二电极层与所述辅助电极电连接。 | ||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的