[发明专利]一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法在审
| 申请号： | 202010326316.5 | 申请日： | 2020-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN111424313A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 马新星;王艺澄;张志强 | 申请（专利权）人： | 包头美科硅能源有限公司;江苏高照新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20;C30B15/04 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 014010 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法，包括以下步骤：步骤1，拆炉、清理炉膛；步骤2，装炉；步骤3，对单晶炉内进行抽真空和捡漏；步骤4，压力化与熔料；步骤5，稳温；步骤6，引晶；步骤7，放肩；步骤8，转肩；步骤9，等径生长；步骤10，收尾与冷却；步骤11，停炉，取出单晶硅棒，复投或拆炉；本发明的RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法在现有的设备、工艺上进行改进后，所得拉制出的掺镓单晶硅棒轴、径向电阻均匀性明显提高，晶棒的有效拉制长度由60‑65%增加到了70‑75%，减少了循环料及最后一炉炉内剩料量；晶棒头部含氧率降低了1.0 PPM，断线率降低了10%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rcz 法拉 制掺镓 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
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