[发明专利]一种温湿度传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010250772.6 | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN111366618B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 孙访策;郑瑞;黄冲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22;G01K7/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种温湿度传感器的制造方法，包括：制造一器件结构，以及利用所述器件结构制造温湿度传感器；其中，制造所述器件结构的方法主要包括：利用四乙基氧化硅沉积工艺沿着各顶层金属块的侧壁沉积二氧化硅材料，并延伸至各所述顶层金属块的顶壁上，直至相邻两个所述顶层金属块的顶壁上的二氧化硅材料相接，以形成一钝化层。通过四乙基氧化硅沉积工艺，在顶层金属块的侧壁之间形成了空洞，如此使得相邻所述顶层金属块之间的沟槽中沉积了较少的二氧化硅，进而在利用所述器件结构形成温湿度传感器时，使得沉积的二氧化硅更容易被刻蚀干净，解决了因二氧化硅残留导致温湿度传感器精度低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温湿度 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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