[发明专利]平板探测器及制备方法有效
申请号: | 202010250723.2 | 申请日: | 2020-04-01 |
公开(公告)号: | CN111430392B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 宫奎;张志海 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 230012 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本文公开了一种平板探测器及制备方法。平板探测器包括:衬底基板;第一电极层,设置在衬底基板的一侧;光电转换层,设置在第一电极层背离衬底基板的一侧,光电转换层具有背离第一电极层一侧的第一表面;绝缘结构层,设置在光电转换层背离衬底基板的一侧,绝缘结构层背离衬底基板一侧的表面与衬底基板的距离小于或等于第一表面与衬底基板的距离,以暴露第一表面;第二电极层,设置在绝缘结构层背离衬底基板的一侧,第二电极层在衬底基板上的正投影覆盖光电转换层在衬底基板上的正投影。本文通过将第二电极层在衬底基板上的正投影设置为覆盖光电转换层在衬底基板上的正投影,减小了光电二极管的暗态漏电流,提升了平板探测器的光电特性。 | ||
搜索关键词: | 平板 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的