[发明专利]一种新型绝对压声表面波压力传感器的制备方法

摘要

本发明提供了一种新型绝对压声表面波压力传感器的制备方法，具体为：先在第一硅片表面刻蚀腔体阵列结构，第二硅片表面热氧化形成SiO2层，两片硅片的键合面经抛光后在真空环境下亲水键合，形成带集成真空腔阵列的SOI衬底，经顶层硅减薄、划片后用于器件制备，最后在其表面依次制备金属底电极、压电薄膜、叉指换能器、反射栅、SiO2温度补偿层和导电金属，得到绝对压声表面波压力传感器。本发明采用先制备带集成真空腔阵列的SOI衬底、后制备器件结构的制备工艺，有效减小器件尺寸，简化后续芯片封装步骤，有助于实现器件的批量化生产，同时本发明制得的器件具有优异的气密性和应力匹配性，提高传感器测试精度及稳定性。