[发明专利]具有复合种子层结构的磁性随机存储器存储单元有效
| 申请号： | 202010214288.8 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113451504B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 郭一民;肖荣福;陈峻;麻榆阳 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10N50/80 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供公开了一种复合种子层结构及其磁性随机存储器存储单元。磁性随机存储器存储单元的复合种子层位于底电极与反平行铁磁超晶格层之间。为保证磁性随机存储器正常工作，要求其位于反平行铁磁超晶格层之下的复合种子层有超高的平整度的同时，其晶格常数要与反平行铁磁超晶格层高度匹配。在现有技术中，复合种子层通常采用经过PVD生长的Pt，其厚度大于5nm。本发明采用一种含金属铜或氮化铜的多层结构的复合种子层，增加反平行铁磁超晶格层的垂直磁性各向异性，同时在保证磁性随机存储器正常工作的前提下，降低了生产成本，避免了较厚的Pt难以刻蚀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 种子 结构 磁性 随机 存储器 存储 单元 | ||
【主权项】：
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