[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 202010211165.9 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111403287A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 白妮妮;刘亮亮;彭利满;薛智勇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。薄膜晶体管制备方法包括：在衬底基板上沟道区的至少一端形成诱导金属层；在衬底基板上沟道区形成非晶硅层，并使诱导金属层的侧壁与沟道区内非晶硅层的侧壁接触；对形成有非晶硅层和诱导金属层的衬底基板进行退火，使非晶硅层在诱导金属层的作用下转化形成多晶硅沟道层。诱导金属层可以定向引导晶核，使多晶硅晶粒在沟道区内横向生长，在沟道区中只形成一个晶粒，减少多个晶粒导致的晶界缺陷，降低薄膜晶体管电流的不稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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