[发明专利]一种具有选择性发射极的太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 202010196429.8 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111370539A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 陈嘉;马丽敏;包杰;陈程;刘志锋;林建伟 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 李托弟;李红 |
地址: | 225500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种具有选择性发射极的太阳能电池的制备方法,包括:(1)、在硅基体一面生长掩膜层作为硅基体的正面;(2)、在掩膜层上局部印刷刻蚀浆料层,并烘干;(3)、对硅基体硼扩散处理,以在不含掩膜层的区域形成重掺杂区域,含掩膜层的区域形成轻掺杂区域,从而形成正面硼选择性发射极(4)、将硅基体背面的制绒面刻蚀成平面,同时去除所述正面硼硅玻璃层;(5)、在硅基体背面生长隧穿氧化层和掺杂非晶硅层,并进行退火处理,形成掺杂多晶硅层;(6)、在硅基体背面沉积背面钝化薄膜,在硅基体正面沉积正面钝化减反膜;(7)在硅基体正面印刷正面主栅和正面副栅,在硅基体背面印刷背面主栅和背面副栅,并进行烘干处理。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 选择性 发射极 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州中来光电科技有限公司,未经泰州中来光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010196429.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的