[发明专利]一种具有选择性发射极的太阳能电池的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010196429.8 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN111370539A 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 陈嘉;马丽敏;包杰;陈程;刘志锋;林建伟 申请(专利权)人: 泰州中来光电科技有限公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20;H01L31/0224;H01L31/0236
代理公司: 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 代理人: 李托弟;李红
地址: 225500 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种具有选择性发射极的太阳能电池的制备方法,包括:(1)、在硅基体一面生长掩膜层作为硅基体的正面;(2)、在掩膜层上局部印刷刻蚀浆料层,并烘干;(3)、对硅基体硼扩散处理,以在不含掩膜层的区域形成重掺杂区域,含掩膜层的区域形成轻掺杂区域,从而形成正面硼选择性发射极(4)、将硅基体背面的制绒面刻蚀成平面,同时去除所述正面硼硅玻璃层;(5)、在硅基体背面生长隧穿氧化层和掺杂非晶硅层,并进行退火处理,形成掺杂多晶硅层;(6)、在硅基体背面沉积背面钝化薄膜,在硅基体正面沉积正面钝化减反膜;(7)在硅基体正面印刷正面主栅和正面副栅,在硅基体背面印刷背面主栅和背面副栅,并进行烘干处理。
搜索关键词: 一种 具有 选择性 发射极 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州中来光电科技有限公司,未经泰州中来光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010196429.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top