[发明专利]一种制备高纯镓的装置及制备方法在审
| 申请号： | 202010182098.2 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN111270308A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 谈逊;谈谦 | 申请（专利权）人： | 华厦半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B28/08;C30B13/20 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 郭艳艳 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市龙岗区坪地街道坪西社*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高纯镓的装置及制备方法，包括熔炼筒和辅助熔炼系统；熔炼筒两端封口，其顶部和底部分别设置有进料阀门和出料阀门，熔炼筒的内壁上涂覆有防粘层，外围设置有外壳，外壳与熔炼筒相互分离，它们之间形成环形冷却水腔，出料阀门伸出外壳，外壳的下端设置有排水口；辅助熔炼系统包括升降部件以及悬挂于升降部件上的冷却水管和感应加热线圈，冷却水管位于环形冷却水腔内，感应加热线圈位于外壳外部，冷却水管和感应加热线圈在升降系统的带动下做上下垂直运动，并且在运动过程中高度始终保持一致。采用该结构的装置，可将4N镓提纯至8N，可有效解决现有技术中进行区域熔炼时界面不稳定以及提纯效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高纯 装置 方法 | ||
【主权项】：
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