[发明专利]高速类超晶格锌锑-锑相变存储介质及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010175123.4 申请日: 2020-03-13
公开(公告)号: CN111276605A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 吴卫华;朱小芹;眭永兴;薛建忠;孙月梅;吴世臣 申请(专利权)人: 江苏理工学院
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C23C14/14;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 杭行
地址: 213011 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种高速类超晶格锌锑‑锑相变存储介质及其制备方法,该存储介质的总厚度为40‑60 nm,结构通式为[Zn50Sb50(a)/Sb(b)]n,其中a和b分别表示单个周期中Zn50Sb50薄膜和Sb薄膜的厚度,且1a25 nm,1b25 nm,n为纳米复合多层结构相变薄膜的总周期数,且1n25。本发明扬长避短地利用两种相变材料的优势特性,通过磁控溅射的方法将两种材料进行纳米多层复合构成类超晶格结构,与传统的Ge2Sb2Te5相变材料相比较,类超晶格Zn50Sb50/Sb相变存储介质具有热稳定性好、相变速度更快等优点。
搜索关键词: 高速 晶格 相变 存储 介质 及其 制备 方法
【主权项】:
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