[发明专利]三维拓扑绝缘体Bi2

摘要

本发明涉及一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤S1选择符合条件的衬底材料；步骤S2:用分子束外延设备，在预设衬底上，生长三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；步骤S3：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜上用电子束蒸发制备两对钛/金电极，其中一对为圆形电极，另一对为条形电极；步骤S4：根据增强系统，选取特定波长的激光器，增强步骤S2中不同厚度三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜的光致反常霍尔电流。本发明能够简便快捷且有效的增强三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流。