[发明专利]一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法有效
| 申请号： | 202010165304.9 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111333054B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 邓少芝;张维明;张宇;梁庆安 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C01B32/168 | 分类号： | C01B32/168;C01B32/16 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于激光刻蚀的直立碳纳米管阵列转移方法，所述转移方法包括步骤如下：选择生长衬底，将直立碳纳米管阵列生长在所述的生长衬底上；采用粘结剂作为连接介质，将远离衬底的直立碳纳米管阵列的端部粘贴至目标衬底上；采用激光透过生长衬底直接刻蚀直立碳纳米管阵列与衬底的接触界面，使碳纳米管阵列从生长衬底上脱落，实现直立碳纳米管阵列转移到目标衬底上。本发明所述转移方法操作简单，成本低廉，技术难度小，其采用激光透过生长衬底直接刻蚀直立碳纳米管阵列与生长衬底的接触界面，使得直立碳纳米管阵列从生长衬底上脱离，解决了直立碳纳米管无损转移的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 刻蚀 直立 纳米 阵列 转移 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010165304.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
