[发明专利]一种基于杂化钙钛矿的一次写入多次读取存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于杂化钙钛矿的一次写入多次读取存储器及其制备方法，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从下至上依次包括玻璃基底、底电极、杂化钙钛矿阻变层和顶电极。其中：所述阻变层材料为CH3NH3PbBr3薄膜，采用溶液法在空气中制备钙钛矿薄膜的工艺。本发明的存储器制备方法如下：在预处理过的底电极表面旋涂CH3NH3PbBr3薄膜层；在所述CH3NH3PbBr3薄膜层表面蒸镀金属电极。本发明采用的原料易得，且制备工艺流程简单、绿色环保、可操作性强，制备的阻变存储器结构简单、写入电压低、开关比高，有利于产业化应用。