[发明专利]一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法有效
| 申请号： | 202010151640.8 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111403306B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 包杰;马丽敏;黄策;乔振聪;刘志锋;陈嘉;林建伟 | 申请（专利权）人： | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 李托弟 |
| 地址： | 225500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种测试钝化接触结构的接触电阻率的方法，包括：(1)、沿电池片上平行于副栅线的方向，对紧挨着副栅线两侧的钝化接触结构均进行开槽，形成凹槽结构；凹槽结构纵向延伸至硅衬底的内部；(2)、沿电池片上平行于主栅线方向，在含有凹槽结构的区域进行切割，得到测试样品；其中，测试样品中未包含主栅线；(3)、测试测试样品上不同副栅线间距对应的电阻值；(4)、以副栅线之间的间距为横坐标，副栅线之间的间距对应的电阻值作为纵坐标，绘制散点图，进行线性拟合，得到线性函数的斜率和截距；根据所述线性函数的斜率和截距，以及线传输模型计算出接触电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 钝化 接触 结构 电阻率 方法 | ||
【主权项】：
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