[发明专利]用于大密度和高数据速率通信应用的分布式电气过应力保护有效
申请号: | 202010149699.3 | 申请日: | 2020-03-06 |
公开(公告)号: | CN111668207B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | J·A·萨塞多;A·勒温 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/02;H02H9/04 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供用于大密度和高数据速率通信应用的分布式电气过应力保护。在某些实施方案中,提供具有分布式和可配置的电气过应力保护的半导体芯片。半导体芯片包括信号垫、电连接到所述信号垫的核心电路、和可操作以保护核心电路免受信号垫处的电气过应力的影响的可配置的过应力保护阵列。可配置的过应力保护阵列包括两个或更多不同设备类型的多个分段的过应力保护设备,并且选定的过应力保护设备的数量和选定的过应力保护设备的设备类型都是可编程的。子系统的配置在鳍FET技术中启用。这种可配置的过应力保护阵列可以分布在整个芯片上,以不仅可以保护芯片垫上的、还可以保护在不同电源域中运行的内部子系统通信接口之间的核心电路子系统。 | ||
搜索关键词: | 用于 密度 数据 速率 通信 应用 分布式 电气 应力 保护 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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