[发明专利]鳍式场效晶体管应力工程优化及其的制作方法有效
| 申请号： | 202010145943.9 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111403284B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种鳍式场效晶体管应力工程优化方法和鳍式场效晶体管的制作方法，涉及半导体制造技术，在鳍式场效晶体管的后栅工艺中，通过离子注入工艺形成包括非晶硅和多晶硅的双层结构的伪栅极结构，非晶硅退火体积膨胀产生压应力，在垂直方向挤压鳍结构，而提高鳍式场效晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效 晶体管 应力 工程 优化 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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