[发明专利]阵列基板和长膜修补方法在审
| 申请号： | 202010138649.5 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111326530A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 胡凯;谢克成;刘泽钦 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板和长膜修补方法，该阵列基板包括衬底、阵列设置的像素单元、数据线以及修补膜层，像素单元包括通孔，数据线包括缺陷区域，修补膜层覆盖缺陷区域，其中，修补膜层设置有至少一个隔断，隔断将数据线和像素单元断开；通过在修补膜层设置隔断，阻断了数据信号传递到像素单元的导电通路。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 修补 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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